「ゲート長」に関連した文献の一覧

英国の通信料金値上げと長期計画 ― NDL雑誌記事索引

電気通信協会 / 日本電信電話公社経営調査室 編

エレベーテッドソース・ドレインを用いた0.15μmゲート長SOI CMOSトランジスタの開発 (SPA特集) -- (SPAをささえる個別技術) ― NDL雑誌記事索引

松橋 秀明 中村 稔之 片倉 義明 他 沖電気工業沖時報編集委員会

研究紹介 14nmゲート長CMOS技術 ― NDL雑誌記事索引

外園 明 応用物理学会 / 応用物理学会 〔編〕

極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS ― NDL雑誌記事索引

稲葉 聡 岡野 王俊 松田 聡 他 電子情報通信学会

最新労働基準判例解説(133)ひげと長髪を身だしなみ基準違反として行った低い人事評価が裁量権の逸脱とされた事例--郵政事業事件[神戸地裁平成22.3.26判決] ― NDL雑誌記事索引

小畑 史子 日本労務研究会 / 日本労務研究会 編

招待講演 バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性 (IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) ― NDL雑誌記事索引

岡野 王俊 泉田 貴士 川崎 博久 他 電子情報通信学会

招待論文 歪みSi CMOSFETのスケーラビリティと40nmゲート長の高性能な歪みSi CMOSFET技術 (IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術) ― NDL雑誌記事索引

佐貫 朋也 大石 周 森政 幸夫 他 電子情報通信学会

絶縁膜上での世界最小のゲ-ト長40nmMOSFETの試作に成功 ― NDL雑誌記事索引

石井 賢一 鈴木 英一 金丸 正剛 他 工業技術院電子技術総合研究所 / 工業技術院電子技術総合研究所 編

長崎地域における凧揚げと長崎凧の力学的な運動体験の簡便法 ― NDL雑誌記事索引

富山 哲之 長崎大学教育学部 / 長崎大学教育学部 編

ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 ― NDL雑誌記事索引

葛西 誠也 Alberto F. Basile 橋詰 保 電子情報通信学会

ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 ― NDL雑誌記事索引

葛西 誠也 Alberto F. Basile 橋詰 保 電子情報通信学会

ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討 ― NDL雑誌記事索引

葛西 誠也 Alberto F. Basile 橋詰 保 電子情報通信学会

フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性 ― NDL雑誌記事索引

西田 征男 林 岳 山下 朋弘 他 電子情報通信学会

80nmゲート長を有するセルフアラインSTT (単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御) -- (ナノデバイス(2)) ― NDL雑誌記事索引

全 容震 植村 哲也 馬場 寿夫 電子情報通信学会

80nmゲート長を有するセルフアラインSTT (単電子・量子効果デバイスを含む極微細デバイスとその界面制御) -- (ナノデバイス(2)) ― NDL雑誌記事索引

全 容震 植村 哲也 馬場 寿夫 電子情報通信学会

i線露光形成によるゲート長0.18μm GaAs-MESFETの信頼性 (化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文特集) ― NDL雑誌記事索引

登坂 保弘 渡邉 昌崇 福士 大地 他 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ / 電子情報通信学会 編

i線露光による0.1μmゲート長InP HEMTの作製 ― NDL雑誌記事索引

澤田 憲 牧山 剛三 高橋 剛 他 電子情報通信学会

The relationship of Gate Length to RF Characteristics of SiC-MESFETs--RF Characteristics of Short-Channel SiC-MESFETs =SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性--ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性 (AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)) ― NDL雑誌記事索引

新井 学 本田 弘毅 尾形 誠 他 電子情報通信学会

The relationship of Gate Length to RF Characteristics of SiC-MESFETs RF Characteristics of Short-Channel SiC-MESFETs =SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性--ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性 (AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)) ― NDL雑誌記事索引

新井 学 本田 弘毅 尾形 誠 他 電子情報通信学会

SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現 ― NDL雑誌記事索引

宮下 桂 吉村 尚郎 高柳 万里子 他 電子情報通信学会

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